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哪些設(shè)備可以檢測局部放電??
點(diǎn)擊次數(shù):2832 更新時間:2018-07-27

  什么是局部放電?局部放電,當(dāng)外加電壓在電氣設(shè)備中產(chǎn)生的場強(qiáng),足以使絕緣部分區(qū)域發(fā)生放電,但在放電區(qū)域內(nèi)未形成固定放電通道的這種放電現(xiàn)象,稱為局部放電。

局部放電現(xiàn)象,主要指的是高壓電氣設(shè)備。

電力設(shè)備絕緣在足夠強(qiáng)的電場作用下局部范圍內(nèi)發(fā)生的放電。這種放電以僅造成導(dǎo)體間的絕緣局部短(路橋)接而不形成導(dǎo)電通道為限。每一次局部放電對絕緣介質(zhì)都會有一些影響,輕微的局部放電對電力設(shè)備絕緣的影響較小,絕緣強(qiáng)度的下降較慢;而強(qiáng)烈的局部放電,則會使絕緣強(qiáng)度很快下降。這是使高壓電力設(shè)備絕緣損壞的一個重要因素。因此,設(shè)計高壓電力設(shè)備絕緣時,要考慮在長期工作電壓的作用下,不允許絕緣結(jié)構(gòu)內(nèi)發(fā)生較強(qiáng)烈的局部放電。對運(yùn)行中的設(shè)備要加強(qiáng)監(jiān)測,當(dāng)局部放電超過一定程度時,應(yīng)將設(shè)備退出運(yùn)行,進(jìn)行檢修或更換。

局部放電對高壓設(shè)備有什么影響?當(dāng)絕緣發(fā)生局部放電時就會影響絕緣壽命。每次放電,高能量電子或加速電子的沖擊,特別是長期局部放電作用都會引起多種形式的物理效應(yīng)和化學(xué)反應(yīng),如帶電質(zhì)點(diǎn)撞擊氣泡外壁時,就可能打斷絕緣的化學(xué)鍵而發(fā)生裂解,破壞絕緣的分子結(jié)構(gòu),造成絕緣劣化,加速絕緣損壞過程。

局部放電有哪些特別?

1、局部放電是局部過熱,電器元件和機(jī)械元件老化的預(yù)兆;

2、局部放電趨勢是局放隨著時間的上升指數(shù);

3、在絕緣結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生局部放電時,會伴隨產(chǎn)生電脈沖、超聲波、電磁輻射、光、化學(xué)反應(yīng),并引起局部發(fā)熱等現(xiàn)象;

由于局部放電存在以上特點(diǎn),故電氣設(shè)備如何避免局部放電、如何去除局部放電,從而使設(shè)備正常安全運(yùn)行就成為電力設(shè)備維護(hù)人員多考慮的事情。為了去除這種潛伏性故障現(xiàn)象,目前針對伴隨局部放電而產(chǎn)生的一些電脈沖、超聲波、電磁輻射等信號而衍生出很多在線檢測局部放電現(xiàn)象的方法。

高壓局部放電檢測標(biāo)準(zhǔn)

1.計算機(jī):工控機(jī)、256M內(nèi)存、3寸軟驅(qū)、2M電子盤、高速緩存型顯卡、通信接口、LP打印機(jī)接口、RS232接口、WIN XP界面、INTER 2G以上的處理器、80G硬盤、8M顯存、40倍速光驅(qū)、VGA圖卡。

2.程控濾波器:低頻帶10、20、40KHZ

高頻帶100、200、300KHZ

3.放大器:其中手動粗調(diào)放大器增益調(diào)節(jié)范圍(-40dB~60dB),

程控微調(diào)放大器增益調(diào)節(jié)范圍16檔24 dB。

輸入阻抗1MΩ

輸入端子噪音小于5μV

3dB頻帶10HZ-300KHZ

各量程檔位20%標(biāo)尺-100%標(biāo)尺,線性度誤差小于10%

各量程檔位脈沖低重復(fù)率誤差小于10%

4.A/D轉(zhuǎn)換器:A/D轉(zhuǎn)換器采樣速率:0.1μs/點(diǎn)

A/D轉(zhuǎn)換器采樣精度:8位±1/2LSB

5.RAM存儲器:每路128K

6.顯示器:17寸液晶彩顯

7.打印機(jī): 24針打印機(jī)

8.HTJF-301校準(zhǔn)脈沖發(fā)生器:

輸出校準(zhǔn)脈沖電壓值5檔可調(diào):0.5V、1V、2.5V、5V、10V

校準(zhǔn)電容值5檔可調(diào):10pF、20pF、50pF、100pF、200pF

輸出阻抗小于100Ω、頻率1000HZ、校準(zhǔn)脈沖值誤差小于1.5%

校準(zhǔn)脈沖電壓波形上升時間小于60ns

校準(zhǔn)脈沖電壓波形衰減時間大于100μs

工作電源為可充電蓄電池,工作電壓DC12V。

9.測量通道:2個

10.工作環(huán)境:

溫度:-5℃~45℃

濕度:≤90%

海拔高度: <1000m

地震強(qiáng)度:≤7級

適合戶內(nèi)及戶外使用

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